電子/電路 標題:去耦電容與旁路電容的差別 |
1:丁培修 (大學)張貼:2015-01-15 00:04:35:
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網路上的資料是說,電晶體放大器發射極有一個自給偏壓電阻,它同時又使信號產生壓降回饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合,這個電阻就是產生了耦合的元件,如果在這個電阻兩端並聯一個電容,由於適當容量的電容器對交流信號較小的阻抗,這樣就減小了電阻產生的耦合效應,故稱此電容為去耦電容。但是在書上卻說與電晶體射極電阻並聯的電容回受到輸入端稱為射擊旁路電容。
請問上述哪一句話才是正確的?我對於去耦電容與旁路電容的了解是,直接在電源與接地端串聯一個100uF是去耦電容,去耦電容旁並一顆0.1uF稱為旁路電容。我這樣說法對?網路又說在數位電路中用0.1uF是稱為耦合電容,它的電容值跟旁路電容一樣大。為什麼不是旁路而是去耦呢?請問去耦與旁路電容的差別是依照放的位置而定的,跟電容值無關?選用電容值適用C=1/F?
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2:verve榮譽點數38點 (高中職)張貼:2015-01-28 00:03:30: [回應上一篇] ,本留言獲[]給賞金 共 1 點
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在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。對於同一個電路來說,旁路(bypass)電容是把輸入信 號中的高頻雜訊作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除,而去耦(decoupling)電容也稱退耦電容,是把輸出信號的干擾作為濾除對象。 去耦電容-->用在放大電路中不需要交流的地方,用來消除自激,使放大器穩定工作。 旁路電容-->用在有電阻連接時,接在電阻兩端使交流信號順利通過。
高頻旁路電容一般比較小,根據諧振頻率一般是0.1u,0.01u等;
而去耦合電容一般比較大,是10u或者更大,依據電路中分佈參數,以及驅動電流的變化大小來確定。
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